型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: MOSFET N Channel 500V 25A TO3P12905+￥24.382850+￥23.3408200+￥22.7573500+￥22.61141000+￥22.46552500+￥22.29885000+￥22.19467500+￥22.0904 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05LSM, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装89855+￥2.524525+￥2.337550+￥2.2066100+￥2.1505500+￥2.11312500+￥2.06645000+￥2.047710000+￥2.0196 -
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品类: MOS管描述: 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-390075+￥4.090525+￥3.787550+￥3.5754100+￥3.4845500+￥3.42392500+￥3.34825000+￥3.317910000+￥3.2724 -
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品类: MOS管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3315PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 27A, TO-220AB 新399310+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 55V 140A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube736910+￥11.9160100+￥11.3202500+￥10.92301000+￥10.90312000+￥10.82375000+￥10.72447500+￥10.645010000+￥10.6052 -
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品类: MOS管描述: INFINEON AUIRF3315S 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.082 ohm, 10 V, 2 V338810+￥11.0280100+￥10.4766500+￥10.10901000+￥10.09062000+￥10.01715000+￥9.92527500+￥9.851710000+￥9.8149 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 40V 170A 3Pin(2+Tab) D2PAK83935+￥14.531450+￥13.9104200+￥13.5626500+￥13.47571000+￥13.38882500+￥13.28945000+￥13.22737500+￥13.1652 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 40V 170A 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube12595+￥14.543150+￥13.9216200+￥13.5736500+￥13.48661000+￥13.39952500+￥13.30015000+￥13.23807500+￥13.1758 -
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品类: MOS管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1310NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 42A, TO-220AB 新40245+￥4.374025+￥4.050050+￥3.8232100+￥3.7260500+￥3.66122500+￥3.58025000+￥3.547810000+￥3.4992 -
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品类: MOS管描述: N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=100A P=211W52225+￥4.792525+￥4.437550+￥4.1890100+￥4.0825500+￥4.01152500+￥3.92285000+￥3.887310000+￥3.8340 -
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品类: MOS管描述: Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN5R6-100PS,127, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装95885+￥31.742150+￥30.3856200+￥29.6260500+￥29.43611000+￥29.24612500+￥29.02915000+￥28.89357500+￥28.7578 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V843310+￥9.6960100+￥9.2112500+￥8.88801000+￥8.87182000+￥8.80725000+￥8.72647500+￥8.661810000+￥8.6294 -
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品类: MOS管描述: 的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-Transistor889010+￥10.1520100+￥9.6444500+￥9.30601000+￥9.28912000+￥9.22145000+￥9.13687500+￥9.069110000+￥9.0353 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF190N15A, 27 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220F封装53445+￥20.416550+￥19.5440200+￥19.0554500+￥18.93331000+￥18.81112500+￥18.67155000+￥18.58437500+￥18.4970 -
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品类: MOS管描述: 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET345910+￥8.1840100+￥7.7748500+￥7.50201000+￥7.48842000+￥7.43385000+￥7.36567500+￥7.311010000+￥7.2838 -
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品类: MOS管描述: NDP6060L 管装308010+￥11.9280100+￥11.3316500+￥10.93401000+￥10.91412000+￥10.83465000+￥10.73527500+￥10.655710000+￥10.6159 -
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品类: MOS管描述: 增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。874310+￥8.9160100+￥8.4702500+￥8.17301000+￥8.15812000+￥8.09875000+￥8.02447500+￥7.965010000+￥7.9352 -
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品类: MOS管描述: N沟道,200V,130A,9.7mΩ@10V70835+￥18.076550+￥17.3040200+￥16.8714500+￥16.76331000+￥16.65512500+￥16.53155000+￥16.45437500+￥16.3770 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，Infineon Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。7888 -
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品类: MOS管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRF9540NPBF 场效应管, P通道, MOSFET, -100V, -23A, TO-220AB 新79565+￥5.184025+￥4.800050+￥4.5312100+￥4.4160500+￥4.33922500+￥4.24325000+￥4.204810000+￥4.1472
